ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ
ЭФФЕКТ.
Изменение электрич. сопротивления тв.
проводника (металла, полупроводника) в результате его деформации. Особенно
велик Т. э. в полупроводниках, где он связан с изменением энергетич. спектра
носителей заряда при деформации: с изменением ширины запрещённой зоны и энергий
ионизации примесных уровней; с относит. изменением энергий отдельных долин зоны проводимости; с
расщеплением дырочных зон, к-рые в отсутствии деформации вырождены; с
изменением эффективных масс носителей заряда (см. Зонная теория). Всё это
приводит к изменению концентрации носителей и их эффективной подвижности. Кроме
того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей через изменение спектра
фононов и появление новых дефектов. Величина Т. э. при малых деформациях
пропорц. упругому напряжению:
где Dsij — изменение тензора уд. электропроводности, s»1/3(sхх+syy+szz) —ср. уд. электропроводность кристалла, Pkl — тензор упругих напряжений, а Пijkl — тензор четвёртого ранга, наз. тензором коэфф.
пьезосопротивления, характеризующий Т. э. в однородных полупроводниках. Абс.
величина компонент Пijkl достигает в
полупроводниках значений 10-9 — 10-8 м2/Н.
Вольтамперная
характеристика полупроводниковых приборов часто определяется малой областью
объёма полупроводников, поэтому при концентрации механич. напряжений именно в
этой области даже малое механич. усилие создаёт значит.
изменение высоты потенциального барьера для носителей,
что приводит к изменению вольтамперной хар-ки прибора. Полупроводниковые
тензоэлементы служат чувствительными датчиками механич. напряжений (>10 В/Н) и ускорений.
• Б л а т т Ф. Дж.. Физика электронной проводимости в твердых телах,
пер. с англ., М., 1971; Зеегер К., Физика полупроводников, пер. с англ., М.,
1977; Г л а г о в с к и й Б. А., П и в е н И. Д., Электротензометры
сопротивления, 2 изд., Л., 1972; Полякова А. Л., Физические принципы работы
полупроводниковых датчиков механических величин, «Акустический журнал», 1972,
т. 18, в. 1, с. 1.
Ш. М.
Коган.
Глянем
на магниторезистивный эффект и увидим
то же самое. http://fatyf.aiq.ru/Magnit-resist-effect.htmЧто
это значит?